动态随机存取存储器是使用FET栅极和电容器作为存储元件的MOS存储器，并且输入数据以动态形式存储。

DRAM只能在短时间内保存数据。

为了保持数据，DRAM必须每隔一段时间刷新一次。

如果未刷新存储单元，则数据将丢失。

最初，DRAM用于关键内存。

由于电容器实际上存在泄漏现象，因此电位差不足并且存储器消失。

因此，除非周期性地周期性地对电容器充电，否则不能保存存储器。

由于这个需要定时刷新的功能，它被称为“动态”刷新。

记忆。

与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单 - 每个数据位只需要一个电容器和一个晶体管进行处理，而SRAM上只有六个晶体管。

因此，DRAM具有非常高的密度和每单位体积的高容量，因此成本低。

但相反，DRAM还具有访问速度较慢和功耗较高的缺点。

与大多数随机存取存储器（RAM）一样，它是易失性存储器设备，因为DRAM中的数据在电源关闭后立即消失。

动态存储单元由MOS晶体管的栅极电容C和栅极控制管组成，并利用FET的栅极之间的分布电容来存储信息以存储电荷，即电容器端子的电压。

表示“1”。

和“0”。

数据作为电荷存储在栅极电容上。

电容器上的高电压表示存储数据1;电容器没有存储电荷，电压为零，表示存储了数据0。

由于泄漏，存储在电容器中的信息不能长时间保持。

为防止信息丢失，必须定期对电容器充电。

此操作称为“刷新”。

动态随机存取存储器每个存储单元需要较少的FET。

通常，有4个管，3个管和单管DRAM。

因此，它具有更高的集成度和更低的功耗，但缺点是节省。

DRAM中的信息 - MOSFET栅极分布电容中的信息将随着电容器的泄漏而逐渐消失，一般信息存储时间约为2ms。

为了将信息保存在DRAM中，必须每1~2ms刷新一次。

因此，使用DRAM的计算机必须配备动态刷新电路以防止信息丢失。

DRAM通常用作计算机中的主存储器。

DRAM的存储器单元从硅晶片蚀刻并位于由存储器列（位线）和存储器线（字线）组成的阵列中。

当位线和字线相交时，形成存储单元的地址。

DRAM操作以向所选存储器列（CAS）发送电荷以在存储体上的每个位激活晶体管。

写入数据时，存储器线将电容器保持在原位。

读取数据时，电容器中的电荷电平由读出放大器测量。

如果充电水平大于50％，则读取值1;否则读取值0.计数器跟踪刷新序列，该序列记录访问了哪些行以及访问它们的顺序。

完成所有工作所需的时间非常短，需要以纳秒（十亿分之一秒）计算。

存储器芯片被列为70纳秒的事实意味着芯片总共需要70纳秒来读取单个存储器单元并完成再充电。

如果没有读取和写入信息作为支持的策略，则存储单元本身就毫无价值。

因此，存储单元具有一整套基础设施，包括其他类型的专用电路。

这些电路具有以下功能：1。

区分存储器行和存储器列的地址（行地址和列地址）; 2.记录刷新顺序（计数器）; 3.从存储器单元（读出放大器）读取和恢复数据4.告诉存储器单元是否接受充电（写保护）; 5.存储器控制器必须执行其他任务，包括识别存储器的类型，速度和容量，以及错误检测等。