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    高频下电容等效电路模型
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    在高频条件下，电容器的性能会受到多种因素的影响，导致其实际表现与理想电容模型有所偏差。为了更准确地描述这种现象，通常采用一个包含电容、串联电阻（ESR）和串联电感（ESL）的等效电路模型来表示实际电容的行为。在这个模型中，电容C代表电容器的基本储能元件；ESR反映了电容器引线和内部介质的损耗；而ESL则主要由电容器的物理结构决定，包括引脚、端子和电容器本身的寄生电感。这些寄生参数在高频时变得尤为重要，因为它们会限制电容器的去耦效果，影响滤波器的频率响应，并可能导致振荡或其他不良效应。因此，在设计高频电路时，了解并考虑这些寄生参数对于优化电路性能至关重要。
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